簡單分析一下雙向觸發二極管的結構部分
前面對雙向觸發二極管的結構已經做了一些簡單的分析,多少也有一點了解了,那么下面將繼續來深入的分析它結構方面的信息,首先雙向觸發二極管主要是由硅NPN三層結構所組成的,其次它還是一個二極管半導體器件伴有對稱性質,甚者它可以等效為基極開路、集電極以及發射極所相對稱的半導體三極管。
那么雙向觸發二極管和一些其它普通的二極管有一些不同,它的正向以及反向都是具有相同負阻特性的,所以當在它的兩端加上電壓時,小于正向轉折電壓時,則器件會呈一介高阻的狀態;反之,則器件會擊穿導通,也就是從由高阻區轉為低阻并進入負阻區。
同理,當我們在其兩端加入的電壓大于反向轉折電壓時,那么這時器件發生的情況會和大于正向轉折電壓時的一樣,會擊穿導通進入負阻區。其中轉折電壓的對稱性我們可以用正負轉折電壓的絕對值之差來進行表示。
那么從上面對雙向觸發二極管的相關描述,相信我們對于雙向觸發二極管的結構已經有了很深的了解了,它的結構相對簡單,價格低廉,至于它的相關作用前面已經分析過。后續還會繼續分析它其它方面的信息。
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