前面我們已經簡單的分析過關于為什么要使用肖特基系列二極管，并且肖特基系列二極管也已經由普通型慢慢發展成高壓的新型肖特基系列二極管。那么可以肯定的是新型和普通的肖特基系列二極管之間肯定是有區別的。

         那么兩者之間的區別是：傳統的肖特基系列二極管主要是通過金屬以及半導體通過接觸所形成的，而新型的肖特基系列二極管的誕生則是由于為了獲取良好的頻率特性，所以選擇用N型半導體材料來作為基片。
 
         那么新型的肖特基系列二極管結構主要是為了減少肖特基系列二極管的結電容，從而來提高它的反向擊穿電壓，那么這時我們在N型外面再外延一個高阻N－薄層。

         由于金屬導體內部有大量的導電電子，所以當金屬和半導體進行接觸時，金屬的費米能級低于半導體的費米能級。那么在金屬的內部和半導體導帶相對應的分能級上，電子密度小于半導體導帶的電子密度。所以在兩者接觸后，電子會從半導體向金屬擴散，從而使金屬帶上負電荷，半導體帶正電荷。由于金屬是理想的導體，負電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內。而對于N型半導體來說，失去電子的施主雜質原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。

         電子從半導體向金屬擴散運動的結果，形成空間電荷區、自建電場和勢壘，并且耗盡層只在N型半導體一邊。勢壘區中自建電場方向由N型區指向金屬，隨熱電子發射自建場增加，與擴散電流方向相反的漂移電流增大，最終達到動態平衡，在金屬與半導體之間形成一個接觸勢壘，這就是肖特基勢壘。

         那么在外加電壓為零時，電子的擴散電流與反向的漂移電流相等，達到動態平衡。在加正向偏壓時，自建場削弱，半導體一側勢壘降低，于是形成從金屬到半導體的正向電流。當加反向偏壓時，自建場增強，勢壘高度增加，形成由半導體到金屬的較小反向電流。

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