前面已經對于肖特基系列二極管進行了一些簡單的分析，且對它的工作原理有了一些簡單的分析，那么下面將繼續分析肖特基系列二極管的內部電路結構。

          那么典型的肖特基系列二極管內部電路結構主要是由N型半導體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層，然后利用二氧化硅來消除邊緣區域的電場，而提高二極管的耐壓值。

          由于N型基片它具有很小的通態電阻，所以它的摻雜濃度要比H-層要高100%倍。另外在基片的下邊會形成N+陰極層，那么它的作用主要是減少陰極的接觸電阻，然后通過調整結構參數，N型基片以及陽極金屬之間也就會形成一個肖特基勢壘。

          當我們在肖特基勢壘的兩端進行陽極金屬接電源正極和N型基片接電源負極的操作時，這時肖特基勢壘層就會變窄，而且它的內部電阻會變小；相反，肖特基的勢壘層則就會變寬，且它的內阻也會變大。

          那么上面就是針對典型的肖特基系列二極管的內部電路的分析，當然關于這一塊后續還會繼續分析它其它方面的信息。另：這方面有什么不懂的地方可以來咨詢我們。

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